| CVD 是化学气相沉积（ Chemical Vapor Deposition ）的简称，迄今有 40 多年的历史，其主要原理是将反应气体混合物在高温下沉积在基体表面上，逐渐生长成为一层薄膜材料。与高温高压合成技术相比， CVD 技术大多数是在低于标准大气压的压强下生长，且生长出的材料处于微米级厚度，面积也往往只有几平方厘米大小。经过过去十年的发展，应用 CVD 方法可以生长出大面积、毫米级厚度的无支撑金刚石薄膜，主要应用在高纯度半导体元器件方面。而当今随着 CVD 技术的日趋成熟， CVD 金刚石已经实现了工业化应用，并可以向市场推出高纯度的聚晶金刚石原材料。 |
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